| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO3401-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23-3 |
25+ |
48000 |
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| FDD16AN08A0-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| BSP318S-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT223 |
25+ |
48000 |
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| SPP2319S23RGB-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
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| SPD18P06PG-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| SIS434DN-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
QFN3X3 |
25+ |
48000 |
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| IPD90N04S3-04-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| SUD19P06-60-E3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| IRFZ24NPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| FQB27P06TM-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
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| SM3024NSUC-TRG-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| 2N7002DW-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SC70-6 |
25+ |
48000 |
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| hy3210b-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
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| IRFS4610TRLPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
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| AP20N15AGH-HF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| SQ4470EY-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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| PMV65XP-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| IPD33CN10NG-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| SIHFL9014T-E3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT223 |
25+ |
48000 |
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| IPB90N06S4-04-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO-263 |
25+ |
48000 |
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