| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD46P4LLF6-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| STS8DN3LLH5-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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| STU85N3LH5-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO-251 |
25+ |
48000 |
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| 2SK3074-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT89 |
25+ |
48000 |
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| 4N04L04-VB TO252 |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| AO4408-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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| AP2302GN-HF-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| DMN3033LSN-7-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| FDD8451-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| FQD5N40TF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO-252 |
25+ |
48000 |
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| FQD6N60-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO-252 |
25+ |
48000 |
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| IRF3205LPBF-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO262 |
25+ |
48000 |
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| IRFR014TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| IRFR9024TR-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| IRFU320PBF-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO251 |
25+ |
48000 |
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| MDS3604URH-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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| ME2306A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| NCE0103-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| NCE60H10A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO-220 |
25+ |
48000 |
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| NP55N055SDG-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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