| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO3415-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
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| IPB180N10S403ATMA1-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
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| FDN338P-NL-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| SI6435ADQ-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TSSOP8 |
25+ |
48000 |
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| SI4688DY-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| BUK7880-55A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT223 |
25+ |
48000 |
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| MMBT2907A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
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| NTMS10P02R2G-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| HAT1024R-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| SI4539DY-T1-E3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| SI3456DDV-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-6 |
25+ |
48000 |
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| SI2306DS-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
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| SI2312BDS-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| IRF9310TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| BF1107-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| IRF9335TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| FDS6681Z-NL-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| NTGS3443T1G-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23-6 |
25+ |
48000 |
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| FDC6506P-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-6 |
25+ |
48000 |
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| SI4532ADY-T1-E3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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