| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDPF12N50NZ-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220F |
25+ |
1000 |
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| FQP2N90-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
||
| FSS132-TL-E-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
||
| HY1210D-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
||
| HY4306W-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO247 |
25+ |
48000 |
||
| IPB320N20N3 G-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
||
| IPB80N08S2L-07-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
||
| IPP60R022S7XKSA1-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
10000 |
||
| IRFPS43N50KPBF-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO3P |
25+ |
48000 |
||
| IRFR1010ZTRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
|||
| IRFR4510PBF-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
||
| IRFU9010P-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO251 |
25+ |
48000 |
||
| IXTQ120N20P-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO3P |
25+ |
48000 |
||
| NCEP01T15-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
||
| NTZD3154NT5G-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SC75-6 |
25+ |
1000 |
||
| NVH4L080N120SC1-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO247-4 |
25+ |
10000 |
||
| SI1022R-T1-GE3-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SC75-3 |
25+ |
48000 |
||
| STF25NM50N-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220F |
25+ |
1000 |
||
| TK6R7P06PL-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
||
| VBZA4611 |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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