| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD86102-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| FDP150N10-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| RU6099R-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| AP0403GH-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| IPP039N04LG-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| STF40NF20-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220F |
25+ |
1000 |
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| QM3016S-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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| DMG7430LFG-7-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
QFN |
25+ |
48000 |
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| ITU01N60A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO251 |
25+ |
48000 |
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| NTD32N06LG-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| Si1416EDH-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SC70-6 |
25+ |
48000 |
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| SM2337PSA-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
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| IRF513PBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| AON6924-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
QFN8(5X6) |
25+ |
48000 |
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| IRFB4615PBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| IRFH5053TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
QFN8(5X6) |
25+ |
48000 |
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| AOD454A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| CEM8958-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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| 2SK1254L-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO251 |
25+ |
48000 |
|||
| SI4403BDY-T1-E3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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