| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO3415-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
||
| IPB180N10S403ATMA1-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
||
| FDN338P-NL-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
||
| SI6435ADQ-T1-GE3-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TSSOP8 |
25+ |
48000 |
||
| SI4688DY-T1-GE3-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
||
| BUK7880-55A-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT223 |
25+ |
48000 |
||
| MMBT2907A-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
||
| NTMS10P02R2G-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
||
| HAT1024R-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
||
| SI4539DY-T1-E3-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
||
| SI3456DDV-T1-GE3-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-6 |
25+ |
48000 |
||
| SI2306DS-T1-GE3-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
||
| SI2312BDS-T1-GE3-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
||
| IRF9310TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
|||
| BF1107-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
||
| IRF9335TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
|||
| FDS6681Z-NL-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
||
| NTGS3443T1G-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23-6 |
25+ |
48000 |
||
| FDC6506P-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-6 |
25+ |
48000 |
||
| SI4532ADY-T1-E3-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
商家默认展示20条库存