| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO3400A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
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| IRF7403TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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| STB60NF06T4-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
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| IRF9540PBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| FDB045AN08A0-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
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| SQ2315ES-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-23 |
25+ |
48000 |
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| SUP90P06-09L-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
25+ |
48000 |
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| FDB6670AL-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
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| IPB50N10S3L-16-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
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| VSO011N06MS-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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| RSR020N06-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| AO4413A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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| STD25NF10T4-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| kia50n03-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| NTD4909NT4G-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| AOD4126-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| STD12NF06T4T4-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| FDD8444-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| TPC8053-H-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
25+ |
48000 |
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| FDD6635-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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